日韩绯色av一区二区中文激情-久久伊人国产精品一区二区-国产精品欧美一区亚洲综合-国产精品一品二区三区在线观看

產(chǎn)品目錄 Product catalog
聯(lián)系我們 Contat Us

江蘇邱成機電有限公司
聯(lián)系人:高工
售后服務:15312954526
銷售傳真:0513-55880690
公司郵箱:3241984301@qq.com
辦公地址:江蘇南通市崇川區(qū)崇川路79號

產(chǎn)品展示首頁 > 產(chǎn)品展示 > 品牌榜 > MEINBERG超壓保護模塊 > MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS
MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS
更新時間:2021-07-26
產(chǎn)品型號:
描述:MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS
江蘇邱成機電總部位于德國Braunschweig市,源頭采購零中間環(huán)節(jié),享受歐洲本土企業(yè)待遇
每天都有航班,物流更迅速,貨期更準確
工控產(chǎn)品、儀器儀表,備品備件,稀有品牌一樣能供貨。

MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS的詳細資料:

MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS
MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/H

江蘇邱成機電有限公司

專業(yè)采購歐洲工控產(chǎn)品、備品備件 。

優(yōu)勢供應品牌及型號:伍爾特五金工具及化學品,哈恩庫博,蓋米閥門,施邁賽開關,IMM噴嘴,Ergoswiss液壓升降系統(tǒng),Socla閥,kobold   科寶流量計開關等,SBS平衡裝置,ODU連接器,SCHURTER  碩特濾波器等,amf 夾具,菲尼克斯魏格米勒端子連接器,本特利  英維思的模塊卡件等  

我們的優(yōu)勢:

MU-US10 165008
EK-UK15-L Nr.0160109/00
06250-24010
48826;M12*30
3831
888118
99.02.0.230.59
D-263V-06
KE07302
KE07301
D-247D
D-222
D-281
Article : 1K010016020E ,Dimensions: 010/016x020-22x3 E7/r7
229040
SV 2002 V
C-ZINN1.0
1060029
9801104
1060389
03325-05X20
06013-06
FLMP12G 10035084
FM06LCF
05520-09
Stützring NP 25/41 + 50 Art-Nr.: 07.2695
Z 81 /13/ R 1/4
AMQD0822
269.6899.015
26106-02001055
23050.012
Nr.6402 mounting bracket S-form
Product number 242250605
HS38/17 GV M12*20MM
GM10LMSX
S83130
18.9008 SP2/0,5-1,5
WF-WD 15 L VI(WAL610875)
244.1.16.5

1)直接從廠家采購,保證所有產(chǎn)品均為原裝。

2)價格合理,繞過層層代理,zui大限度的讓利給客戶。

3)渠道廣泛,國內(nèi)有代理,或者有客戶保護廠家不賣的產(chǎn)品,只要您能提供型號,我們同樣可以從各國的分銷商來采購。

4)倉庫每周三統(tǒng)一拼箱發(fā)貨,極大節(jié)約了物流成本。

5)工程師為您提供專業(yè)的售前及售后技術咨詢服務。

江蘇邱成機電有限公司是一家集研發(fā)、工程、銷售、技術服務于一體的現(xiàn)代化企業(yè),是國內(nèi)自動化領域具競爭力的設備供應商。公司主要經(jīng)營歐美和日韓 等發(fā)達國家的機電一體化設備、高精度分析檢測儀器、環(huán)境與新能源工業(yè)設備及電動工具等工控自動化產(chǎn)品。 

生產(chǎn)集成電路的簡要步驟:

利用模版去除晶圓表面的保護膜。

將晶圓浸泡在腐化劑中,失去保護膜的部分被腐蝕掉后形成電路。

用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質(zhì)。

其中曝光機就是利用紫外線通過模版去除晶圓表面的保護膜的設備。

一片晶圓可以制作數(shù)十個集成電路,根據(jù)模版曝光機分為兩種:

模版和晶圓大小一樣,模版不動。

模版和集成電路大小一樣,模版隨曝光機聚焦部分移動。

其中模版隨曝光機移動的方式,模版相對曝光機中心位置不變,始終利用聚焦鏡頭中心部分能得到更高的精度。成為的主流 [1]  。

主要廠商編輯 語音

曝光機是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設備,制造和維護需要高度的光學和電子工業(yè)基礎,世界上只有少數(shù)廠家掌握。因此曝光機價格昂貴,通常在 3 千萬至 5 億美元。

ASML

尼康

佳能

歐泰克

上海微電子裝備

SUSS

991 R 2-1 BP
A2 AM6X1 H1
020-3220
020-2325
95164-036
31060600
03001-04
000737674-E3 Teile-Nr.: 931804101
000730422-E3 Teile-Nr.: 931804104
000730421-E3 Teile-Nr.: 931804103
000737666-E3 Teile-Nr.: 931804100
VD-207D
D-244
D-243B
RZ- 119I
RZ-042BX
6540010
DE70-14
VK 21650d
18.901
WF-WD 18 L VI(WAL610877)
HRL 4 B1TM 30 PP ST M ZN
PAP3015-P10
0.926010.047
31060800
DE 95-12 nr.7361031
DE 95-12
DE95-12
18.9004
2300-54-8-GU Nr.:0011536
WAL610877
745.014-8
42.0402.0211
US10S
US10
MU-US10 NR:165008
MU-US10S
158268000
OR 40×3
165008 US 10 VAHLE
165009 US 10S VAHLE

ABM, Inc.

品牌編輯 語音

光刻機的品牌眾多,根據(jù)采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類:

高的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種,分辨率通常七納米至幾微米之間,端光刻機號稱上精密的儀器,世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。端光刻機堪稱現(xiàn)代光學工業(yè)之花,其制造難度之大,世只有少數(shù)幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML(鏡頭來自德國),日本Nikon(intel曾經(jīng)購買過Nikon的端光刻機)和日本Canon三為主。

位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產(chǎn)權的投影式中端光刻機,形成產(chǎn)品系列初步實現(xiàn)海內(nèi)外銷售。正在進行其他各系列產(chǎn)品的研發(fā)制作工作。

生產(chǎn)線和研發(fā)用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機,分辨率通常在數(shù)微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。

分類編輯 語音

光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動

A 手動:指的是對準的調(diào)節(jié)方式,是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;

B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧;

C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

紫外光源編輯 語音

曝光系統(tǒng)核心的部件之一是紫外光源。

常見光源分為:

可見光:g線:436nm

紫外光(UV),i線:365nm

深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm

極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm

對光源系統(tǒng)的要求

a.有適當?shù)牟ㄩL。波長越短,可曝光的特征尺寸就越?。籟波長越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高。]

b.有足夠的能量。能量越大,曝光時間就越短;

c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經(jīng)過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。

EG8X1-R1/4
1349 Schlauch PVC 9x12 mm (9m)
111-200-14
FM06SCF
100869517
99118-0604 BLACK
320 GL 90 2-3
89Z062010 M 6x20
2107003
D12350
385-34-7
6306 AV
DE 95-10
DE95-10
WAL625954
EW8X1-R1/8
J01002A1261Y
32008XAV
12.2010.2003
US10 165008
US10S 165009
99118-0604k
110965
J01151A0931
CUD00003
STVC 96 F ABC VVV 7-00 TL 4,0 * 247 E007 NR:214836
243.50 NW7.2
GUA 16x1
SV 2001 V
21049E0404 * UNI ENTST0ER MS VERN * M 10 × 14,0-2,5
12B-1 DIN 8187
246.5.016.012
76116125
1-1-66-621-010
1-1-66-621-003
EGB2520-E40
PAP2520 P10
GN 615-M12-K

對于波長更短的深紫外光光源,可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光(248 nm)、ArF 準分子激光(193 nm)和F2準分子激光(157 nm)等。

曝光系統(tǒng)的功能主要有:平滑衍射效應、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。

對準系統(tǒng)編輯 語音

制造高精度的對準系統(tǒng)需要具有近乎美的精密機械工藝,這也是國產(chǎn)光刻及的技術難點之一,許多美國德國品牌光刻機具有特殊專機械工藝設計。例如Mycro N&Q光刻機采用的全氣動軸承設計利技術,有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。

對準系統(tǒng)另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場,許多端的光刻機,采用了LED照明。

對準系統(tǒng)共有兩套,具備調(diào)焦功能。主要就是由雙目雙視場對準顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對(光刻機通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用)。

CCD對準系統(tǒng)作用是將掩模和樣片的對準標記放大并成像于監(jiān)視器上。

工件臺顧名思義就是放工件的平臺,光刻工藝主要的工件就是掩模和基片。

工件臺為光刻機的一個關鍵,由掩模樣片整體運動臺(XY)、掩模樣片相對運動臺(XY)、轉(zhuǎn)動臺、樣片調(diào)平機構、樣片調(diào)焦機構、承片臺、掩模夾、抽拉掩模臺組成。

其中,樣片調(diào)平機構包括球座和半球。調(diào)平過程中首先對球座和半球通上壓力空氣,再通過調(diào)焦手輪,使球座、半球、樣片向上運動,使樣片與掩模相靠而找平樣片,然后對二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進行鎖緊而保持調(diào)平狀態(tài)。

樣片調(diào)焦機構由調(diào)焦手輪、杠桿機構和上升直線導軌等組成,調(diào)平上升過程初步調(diào)焦,調(diào)平完成鎖緊球氣浮后,樣片和掩模之間會產(chǎn)生一定的間隙,因此必須進行微調(diào)焦。另一方面,調(diào)平完成進行對準,必須分離一定的對準間隙,也需要進行微調(diào)焦。

抽拉掩模臺主要用于快速上下片,由燕尾導軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。

承片臺和掩模夾是根據(jù)不同的樣片和掩模尺寸而進行設計的。

性能指標編輯 語音

光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產(chǎn)效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準分子激光器等。

光刻機種類編輯 語音

a.接觸式曝光(Contact Printing):掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當,設備簡單。接觸式,根據(jù)施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。

1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附?。愃朴趧蚰z機的基片放置方式),掩膜蓋在基片上面;

2.硬接觸 是將基片通過一個氣壓(氮氣),往上頂,使之與掩膜接觸;

3.真空接觸 是在掩膜和基片中間抽氣,使之更加好的貼合(想一想把被子抽真空放置的方式)

缺點:光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,容易損壞,壽命很低(只能使用5~25次);容易累積缺陷;上個世紀七十年代的工業(yè)水準,已經(jīng)逐漸被接近式曝光方式所淘汰了,國產(chǎn)光刻機均為接觸式曝光,國產(chǎn)光刻機的開發(fā)機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產(chǎn)品化。

AMQD0802
B 42
GSM-1012-08
OR 50×3
AX100021.
22052dp9
845.018-8
070 80-106
180.541.000.307.000
180.575.000.307.000
180.545.000.307. 000
95.63
95.05
40.31.9024.0000 24v
95.63 for 40.31.9024.0000 24v
95.05 for 40.52.9024.0000 24v
39932
39908
010-0825
10001046
3537952 3,4X20,5X25,5
7262167
016 500
RX424730
1926
S3450/13X3/8
82181BL
D11660
VD-200A
GN 352-40-40-M8-S-55
VD-207JR
343P123070
828-0404
DE 95-16 nr.7361061
31090410
D6/B9/I60 5145.00.15
104216

b.接近式曝光(Proximity Printing):掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm??梢杂行П苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(可提高10 倍以上),圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應用為廣泛。

c.投影式曝光(Projection Printing):在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分類:

掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,>1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;

步進重復投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板縮小比例(4:1),曝光區(qū)域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆蓋的區(qū)域)。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

掃描步進投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區(qū)域(Exposure Field)26×33mm。優(yōu)點:增大了每次曝光的視場;提供硅片表面不平整的補償;提高整個硅片的尺寸均勻性。但是,同時因為需要反向運動,增加了機械系統(tǒng)的精度要求。

d. 高精度雙面:主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

高精度特制的翻版機構、雙視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、多點光源曝光頭、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺等組成。

適用于φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片的對準曝光。

e.高精度單面:針對各大專院校、企業(yè)及科研單位,對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機,中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。

高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微

502153
9939377 ZHU 5
96810
FM08SCF
9801105
9118-0604k(blue)
NLM07123-06X27
UTTB 2,5/2P-PV Nr.3060377
22050.0406
22050.0404
06242-06X15
KS-150 M3
020.123.1020
322-AL
27964-26T12
GFM-1012-06
Druckfedern D 11560 0,63 x 8,0 x 24,5 mm
UNN -44020-051
94906
25SFIW17SXZ,Nr 0003940
259499
LV46.0196
25SFAK17SXZ,Nr 0003936
03325-05x16...
03325-05x16..
03325-05x16norelem
nlm 03325-05x16
PKZM0-XM32DE, Nr.239349
116922000
181 -134-000-301-000
V10MY1
3140-04-00
217,2-AL-IS
CF130.10.05.UL
241.14.10.032
2901873
CK2,5-ED-1,50BU AU NR:1674820
FF2025-ZW-B-0-2
180 539 000 307 000

顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。

解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。

超分辨光刻機編輯 語音

2018年11月29日,國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制"通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制,光刻分辨力達到22納米,結(jié)合雙重曝光技術后,未來還可用于制造10納米級別的芯片

憑借專業(yè)*的技術與商務團隊, 公司在為客戶帶來優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的同時還可提供自動化工程技術服務及成套解決方案。

公司



 如果你對MEINBERG轉(zhuǎn)換接頭CON/FO/TTL-2/HS感興趣,想了解更詳細的產(chǎn)品信息,填寫下表直接與廠家聯(lián)系:

留言框

  • 產(chǎn)品:

  • 您的單位:

  • 您的姓名:

  • 聯(lián)系電話:

  • 常用郵箱:

  • 省份:

  • 詳細地址:

  • 補充說明:

  • 驗證碼:

    請輸入計算結(jié)果(填寫阿拉伯數(shù)字),如:三加四=7
桃园县| 平顶山市| 科技| 和平县| 静海县| 论坛| 铜梁县| 铅山县| 岳阳市| 松桃| 丰镇市| 泽州县| 石景山区| 营口市| 积石山| 子洲县| 万盛区| 马边| 商城县| 桃园市| 昆山市| 三都| 浮梁县| 南岸区| 比如县| 大石桥市| 怀宁县| 龙门县| 宁乡县| 华宁县| 略阳县| 大方县| 湟中县| 广西| 河东区| 南岸区| 广安市| 铁岭县| 边坝县| 上栗县| 河西区|